特許
J-GLOBAL ID：200903072828789615

単結晶成長装置

発明者：
蔵本 誠

蔵本 誠 について

, 
高野 清隆

高野 清隆 について


出願人/特許権者：
株式会社スーパーシリコン研究所

株式会社スーパーシリコン研究所 について


代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093744
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281477
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：
【要約】【課題】 単結晶成長装置において、チャンバの上部の結晶回転部やシール部材がホットゾーンからの輻射熱を受けることによって高温化し、単結晶の回転が停止したり引き上げる単結晶が汚染されたりすることを防止する。【解決手段】 ベアリング40を有する結晶回転部やシール部材50とホットゾーンの間に熱遮蔽板54を設置し、チャンバの上部の結晶回転部やシール部材50が受ける輻射熱を低減させた。また、単結晶11の引上げの妨げにならないよう、単結晶引上げ速度と同じ速度で単結晶11と共に、熱遮蔽板54が引き上げられるようにした。
請求項（抜粋）：
単結晶の原料融液を融解させる石英ルツボと、前記石英ルツボが内部に配置されるチャンバと、前記チャンバの内部にあって前記原料融液を加熱する加熱ヒータと、前記チャンバの上部にあって前記単結晶を回転させる結晶回転部により構成される単結晶回転機構とを有し、種結晶を前記石英ルツボ内の前記原料融液に浸漬して引き上げることにより、前記単結晶を成長させるように構成された単結晶成長装置において、少なくとも前記石英ルツボと前記加熱ヒータの存するホットゾーンから前記結晶回転部が受ける輻射熱を低減させるため、前記結晶回転部と前記ホットゾーンの間に熱遮蔽板及び/又は水冷板を設置したことを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (2件)：
C30B 15/00 ,  C30B 15/14
FI (2件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 15/14
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG15 ,  4G077EG19 ,  4G077PA16 ,  4G077PE27
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体単結晶製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-095247   出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
  • 単結晶保持装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-083322   出願人：信越半導体株式会社

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