強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347446
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151758
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】熱揺らぎに対して安定な強磁性トンネル磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】強磁性トンネル磁気抵抗効果素子の自由層を強磁性層(381、383)と中間層(382)を少なくとも5層以上積層し、中間層382を介して隣接する2層の強磁性層381と383の磁化を反強磁性的に配列させることにより、異方性磁界Hkや飽和磁化Msを変えることなく、しかも感度の劣化を招かずに自由層の体積を大きくすることができるため、熱揺らぎに対して安定になる。

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、強磁性層と中間層とが少なくとも5層以上積層されている多層構造との間にトンネル障壁層が形成されており、前記第1磁性層は作用する外部磁界に対してその磁化の方向が拘束されており、前記多層構造を構成する強磁性層は外部磁界に対してその磁化の方向が回転し、その磁化が前記中間層を介して反強磁性的に配列しており、前記第1磁性層と前記多層構造を構成する強磁性層の磁化の相対的な角度によって抵抗が変化する強磁性トンネル磁気抵抗効果膜と、前記強磁性トンネル磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給するための下部および上部磁性層に電気的に接している下部及び上部電極と、抵抗変化を検出するための検出手段を有することを特徴とする強磁性トンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/30 , H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/30 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

Fターム (21件)：

2G017AA01 , 2G017AB05 , 2G017AD55 , 2G017AD57 , 2G017AD61 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA12 , 5D034BA15 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5E049AA10 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049DB12 , 5E049DB18 , 5F083FZ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗効果素子およびシールド型磁気抵抗効果センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310568 出願人：日本電気株式会社
磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015633 出願人：キヤノン株式会社
磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-118991 出願人：株式会社東芝

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