特許
J-GLOBAL ID：200903072881717189

レジストパターンの形成装置および形成方法並びに物品の製造方法

発明者：
イザベル ルイス ジョゼフ ドウギ

イザベル ルイス ジョゼフ ドウギ について

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羽立 等

羽立 等 について

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籠谷 恒男

籠谷 恒男 について

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青山 勉

青山 勉 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212846
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057104
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンの形成時、またはこのレジストパターンを利用して製造可能な物品の製造時に生じる問題点を改善することが可能なレジストパターンの形成装置および形成方法並びに物品の製造方法を提供する。【解決手段】 電子線ユニット26によりレジスト22のうちの第1の部分を選択的に電子線露光し、引き続き紫外線露光システム42によりレジスト22全体を紫外線露光したのち、現像ユニット58により第1の部分を選択的に除去することにより、基板14の表面にマスク78を形成する。電子線のみにより第1の部分を露光する場合よりも電子線露光量が小さくなり、電子線露光に要する時間が短くなるため、マスク78を短時間で形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板の表面にレジストを形成する成膜工程と、荷電粒子線により前記レジストのうちの第1の部分を露光し、この第1の部分の第1の特性を変化させる第1の露光工程と、電磁放射線により、前記レジストのうちの、前記第1の部分よりも大きい表面積を有する第2の部分を露光し、この第2の部分の第2の特性を変化させる第2の露光工程と、前記レジストのうちの、前記第1の特性が変化した前記第1の部分の少なくとも一部を選択的に除去することにより、前記基板の表面にレジストパターンを形成する現像工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 504
FI (3件)：
G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 A
Fターム (7件)：
2H097CA13 ,  2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  5F046AA02 ,  5F046AA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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