特許

J-GLOBAL ID：200903072908718271

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 菊地 祥子 ,  高島 章 ,  安田 直樹 ,  村岡 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-165366
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004639
出願日： 2007年06月22日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】高電界領域でリーク電流が少ない高誘電率材料を提案する。【解決手段】本発明の例に係る不揮発性半導体メモリ装置は、第1導電型の半導体領域11と、半導体領域11内で互いに離間して配置される第2導電型のソース・ドレイン領域12と、ソース・ドレイン領域12間のチャネル領域上に配置されるトンネル絶縁膜13と、トンネル絶縁膜13上に配置される浮遊ゲート電極14と、浮遊ゲート電極14上に配置される電極間絶縁膜15と、電極間絶縁膜15上に配置される制御ゲート電極16,17とを備え、電極間絶縁膜15は、ランタノイド系金属Ln、アルミニウムAl、及び、酸素Oを含み、ランタノイド系金属とアルミニウムの組成比Ln/(Al+Ln)は、0.33から0.39までの範囲内の値をとる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域と、 前記半導体領域内で互いに離間して配置される第2導電型のソース・ドレイン領域と、 前記ソース・ドレイン領域間のチャネル領域上に配置されるトンネル絶縁膜と、 前記トンネル絶縁膜上に配置される浮遊ゲート電極と、 前記浮遊ゲート電極上に配置される電極間絶縁膜と、 前記電極間絶縁膜上に配置される制御ゲート電極とを具備し、 前記電極間絶縁膜は、ランタノイド系金属Ln、アルミニウムAl、及び、酸素Oを含み、前記ランタノイド系金属と前記アルミニウムの組成比Ln/(Al+Ln)は、0.33から0.39までの範囲内の値をとる ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (55件)：

5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP44 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP53 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER22 ,  5F083GA06 ,  5F083GA22 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR15 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BA48 ,  5F101BA49 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BF09 ,  5F101BH06 ,  5F101BH12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高誘電率の絶縁膜を含む半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-007966   出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (2件)

• 高K誘電体膜及びその形成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-577313   出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
• 高誘電率の絶縁膜を含む半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-007966   出願人：三星電子株式会社