特許
J-GLOBAL ID：200903034237943357

高K誘電体膜及びその形成方法

発明者：
ニュエン、ビチ-エン

ニュエン、ビチ-エン について

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ヅオ、ホン-ウェ

ヅオ、ホン-ウェ について

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ワン、シャォ-ピン

ワン、シャォ-ピン について


出願人/特許権者：
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-577313
公開番号（公開出願番号）：特表2005-534163
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
誘電体層(32,38)はランタン、アルミニウム、窒素及び酸素を含み、2つの導電体(30,34)の間または導電体と基板との間に形成される。一の実施形態においては、誘電体層(32)に含まれるランタン、窒素またはアルミニウムはその濃度が傾斜している。さらに別の絶縁層(36,40)を導電体または基板(30)と誘電体層(32,38)との間に形成することができる。誘電体層(32,38)は原子層化学気相成長法、物理気相成長法、有機金属化学気相成長法、またはパルスレーザ成膜法により形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 同半導体基板を覆い、ランタン、アルミニウム、酸素及び窒素を含む誘電体層と、 同誘電体層を覆う電極層と、を備える半導体構造。
IPC (14件)：
H01L29/78 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (12件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/318 C ,  H01L21/318 M ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/04 C
Fターム (101件)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048DA24 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ07 ,  5F083AD11 ,  5F083AD60 ,  5F083EP54 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA01 ,  5F083JA12 ,  5F083PR21 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02 ,  5F110AA12 ,  5F110AA26 ,  5F110BB06 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ23 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BG08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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