パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288529
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140299
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】化学増幅レジストの発生した酸の失活を防止して形状のよいレジストパターンを形成する。【構成】基板1上に、エネルギー線により酸を発生する化合物と酸によりアルカリ可溶性となる樹脂を含むレジスト2を形成する工程と、パターン露光から現像までをガス不純物のない雰囲気中でを行う工程と、前記レジスト2をアルカリ現像してレジストパターン2Aを形成する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法を提供する。この方法により、化学増幅レジストの発生した酸の失活を防止することにより、形状のよいパターン形成が実現でき、工業的に歩留りのよいデバイス製造につながる。

請求項（抜粋）：

基板上に、エネルギー線により酸を発生する化合物と酸によりアルカリ可溶性となる樹脂を含むレジストを形成する工程と、パターン露光から現像までをガス状不純物のない雰囲気中でを行う工程と、前記レジストをアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 511

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-156914
特開平4-221814
特開平3-116819

全件表示

前のページに戻る