ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-163438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-292157
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上パターンの欠陥、異物、残渣および段差等を電子ビームにより検査する技術において、高分解能で、かつ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。【解決手段】被検査半導体7の表面に電子ビームを減速させる電界を形成し減速電界により被検査半導体の表面に到達し得ないエネルギーの成分を含む、一定の面積を持った電子ビーム(面状の電子ビーム)を被検査半導体表面の極近傍で反射させて結像レンズ11により結像し、被検査半導体表面の複数の領域の画像を取得して画像記憶部に記憶させる。この記憶された複数の領域の画像同士を比較することによって、上記領域内における欠陥の有無および欠陥の位置を計測する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

試料表面に向けて照射したときにその平面形状が2次元的な広がりを有する面状の電子ビームを、試料表面に対向する電極の電位を基準として負の電圧を印加された試料表面の複数の照射領域に順次照射し、前記電子ビームを形成する電子のうち前記試料表面に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻された電子を結像手段に結像させ、前記結像手段を用いて前記複数の照射領域にそれぞれ対応する複数の電子像を電気的な複数の画像信号に変換し、前記複数の画像信号を相互に比較することにより、前記試料に形成されたパターン欠陥を検出するように構成したものであり、前記複数の照射領域内にはそれぞれ実質的に同一形状のパターンが存在することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (5件)：

G01N23/225 , G01N23/20 , H01J37/28 , H01J37/29 , H01L21/66

FI (5件)：

G01N23/225 , G01N23/20 , H01J37/28 B , H01J37/29 , H01L21/66 J

Fターム (29件)：

2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001BA14 , 2G001CA03 , 2G001DA01 , 2G001DA02 , 2G001DA09 , 2G001EA03 , 2G001EA04 , 2G001GA06 , 2G001GA07 , 2G001HA01 , 2G001HA07 , 2G001HA12 , 2G001JA09 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001SA02 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106BA14 , 4M106CA39 , 4M106DB02 , 4M106DJ18 , 5C033UU02 , 5C033UU03 , 5C033UU04 , 5C033UU05

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭59-192943号公報
電子ビーム検査方法とそのシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-124951 出願人：日本ケー・エル・エー株式会社
ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-041346 出願人：株式会社東芝

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