プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126742
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312271
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】プラズマ中および基板上でのイオンやラジカル等の活性種を制御し、かつ高周波の姿態や磁場分布に影響されずに均一でかつ高密度、高励起プラズマを形成し、薄膜形成及びエッチングを良好に行う薄膜形成方法及びエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】誘電体板5上に同心環状電極6を設けた高周波電力導入部4を、基板2と対向させる構成である。第1高周波8と第2高周波9を混合器7によって混合された高周波が同心環状電極6に印加されており、高周波電力導入部4より放射された高周波によりプラズマを発生させ、真空槽1内に導入した成膜ガスを励起またはイオン化させて、基板2上に薄膜を形成するか、基板2上に照射してエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内に対向して設置された基板設置台及び複数個の電極と、前記真空槽内に印加される第1の高周波及び第2の高周波を発生させる手段と、前記第1の高周波及び第2の高周波とを混合させる混合器とを有し、前記混合器と前記電極とを結合させたことを特徴とするプラズマ装置。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , B01J 19/08 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/285 C , B01J 19/08 H , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H05H 1/46 C , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-359515
特開平4-346829
特開平4-355915

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