特許
J-GLOBAL ID：200903072953413007

半導体レーザの製造方法

発明者：
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335378
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147814
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面への不純物ドープに依らずに窓構造を設けることで、CODレベルの向上を図る。【解決手段】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面21を形成した後、その共振器端面21を、H2を含むプラズマ雰囲気またはH2を含むラジカル雰囲気にさらし、その共振器端面21の近傍からのIn離脱を行って、これにより半導体レーザの活性層のバンドギャップEgを大きくする窓構造を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、 前記半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、 前記共振器端面を形成した後、H2を含むプラズマ雰囲気またはH2を含むラジカル雰囲気に前記共振器端面をさらし、当該共振器端面近傍からのIn離脱を行う暴露工程と を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
H01S 5/028
FI (1件)：
H01S5/028
Fターム (8件)：
5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AK22 ,  5F173AL02 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AR68
引用特許：
出願人引用 (2件)

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