特許

J-GLOBAL ID：200903072974070118

強誘電体記憶装置

発明者： 内貴 唯八
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034081
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235872
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】書き込み電圧に高電圧を必要とせず、また、ワード線毎の一括データ書き換えができる強誘電体記憶装置を実現する。【構成】メモリトランジスタMTの下部電極とビット線BLとの間に、ゲート電圧に応じて下部電極5とビット線とを作動的に接続する書き込みトランジスタWTを設ける。これにより、書き込み電圧はVCC程度で良く、高電圧を必要とせず、また他セルへのディスターブの問題がなく、また、ワード線毎の一括データ書き換えができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して第1の導体、強誘電体および第2の導体が順に形成されてなる強誘電体キャパシタを有し、当該第2の導体への印加電圧に応じた強誘電体の分極方向によりデータを記憶する強誘電体記憶装置であって、書き込み時に、上記第1の導体を所定の電位に保持させる書き込み用回路を有する強誘電体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-185789
  
• 不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置、ならびに不揮発性記憶装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012177   出願人：ローム株式会社
• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279632   出願人：ローム株式会社
• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247715   出願人：ローム株式会社