特許

J-GLOBAL ID：200903072999186447

熱処理装置

発明者： 牛川 治憲 ,  島津 知久
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290582
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130192
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 250mm以上の大口径の半導体ウエハに対して、酸化処理や拡散処理などの熱処理を実施する場合、高速昇温の下でもウエハにスリップを発生させない。【構成】 縦型炉2内に位置する反応容器3と、上下方向に複数の半導体ウエハWを平行に搭載するラダーボート10を有する熱処理装置において、ラダーボート10における搭載ピッチを、40mmに設定する。【効果】 処理温度が1000 ゚Cの場合、600 ゚Cから1000 ゚Cまで毎分100 ゚Cで昇温させても、被処理体である半導体ウエハの表面の面内温度差を1 ゚Cに抑えることができ、スリップが発生しない。

請求項（抜粋）：

管状炉内に位置する略管状の反応容器と、上下方向に複数の半導体ウエハを平行に搭載する搭載治具とを有し、複数の半導体ウエハを搭載した状態の搭載治具を前記反応容器内に納入して、所定の温度雰囲気で前記半導体ウエハに対して熱処理を施す如く構成された熱処理装置において、前記半導体ウエハは直径250mm以上の大きさ、前記所定の温度は600 ゚C以上800 ゚C未満であって、前記管状炉によって前記所定温度雰囲気に昇温させるまでの昇温過程に、毎分20 ゚C以上の昇温過程を有する如く構成され、前記半導体ウエハの搭載治具における搭載ピッチは、10〜40mmに設定されたことを特徴とする、熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 熱処理方法及び熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-292725   出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン相模株式会社
• 縦型ボート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-339553   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 特開平2-017633