特許
J-GLOBAL ID：200903073062350787
赤外線センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302567
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131147
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 高感度、高速熱応答性、高精度であり、赤外線が斜めに入射した場合においても、サーモパイル冷接点部温度を正確に測定することが可能であり小型化可能で量産性に優れた赤外線センサを提供する。【解決手段】 このサーモパイル型赤外線センサは、半導体基板1と、該半導体基板1の一方の表面に設けた下絶縁膜2と、該下絶縁膜2を残すように該半導体基板の一部を除去することにより形成されたピット3及び該ピット3を覆っている該下絶縁膜2よりなるダイヤフラム4と、該ダイヤフラム4上に形成されたサーモパイル8と、上絶縁膜9と、該上絶縁膜9に形成した薄膜サーミスタ10と、該薄膜サーミスタ10上に形成した櫛形電極11とを有する。サーモパイル8の冷接点はヒートシンク5上に位置している。薄膜サーミスタ10はダイヤフラム4を取り囲むように設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の表面に設けた下絶縁膜と、該下絶縁膜を残すようにして該基板の中央部の半導体基板層を孔状に除去して設けたピットと、該ピットを覆っている前記絶縁膜よりなるダイヤフラムと、基板周辺部のヒートシンク部と、該ヒートシンク部の該下絶縁膜上に冷接点を有し、該ダイヤフラム上に温接点を有する複数の熱電対からなるサーモパイルと、該サーモパイル上に設けた上絶縁膜と、該上絶縁膜の冷接点部の上にダイヤフラムを囲むように設けた薄膜サーミスタと、を有する赤外線センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
2G066AC13
, 2G066BA08
, 2G066BA51
, 2G066BA55
, 2G066BB11
, 2G066CA20
