特許
J-GLOBAL ID:200903073068257142
半導体検査装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-193573
公開番号(公開出願番号):特開2001-024042
出願日: 1999年07月07日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【目的】 半導体デバイスに多数の電気信号を印加することができる半導体検査装置を提供する。【構成】 本発明にかかる半導体検査装置は、複数の電気信号を被測定対象となる半導体基板に印加するための電圧印加部A1と、電圧印加部の下部に対面し、半導体基板を支持するための支持面を有する支持部材11を含むステージ部12と、ステージ部12に対して電圧印加部の反対側に設けられ、支持部材を介して半導体基板を撮像するための撮像部A2と、ステージ部12に対して電圧印加部A1の反対側に設けられ、支持部材11を介して半導体基板を照射するための赤外光照射部23とを備え、撮像部A2が倒立型となっていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板に設けられた半導体デバイスからの発光を検出し評価を行う半導体検査装置であって、複数の電気信号を前記基板に印加するための電圧印加部と、前記電圧印加部に対面し、前記基板を支持するための支持面を有する支持部材を含むステージ部と、前記ステージ部に対して前記電圧印加部の反対側に設けられ、前記支持部材を介して前記基板を撮像するための撮像部と、前記ステージ部に対して前記電圧印加部の反対側に設けられ、前記支持部材を介して前記基板に赤外光を照射するための光源とを備え、前記撮像部が倒立型であることを特徴とする半導体検査装置。
IPC (4件):
H01L 21/66
, G01N 21/956
, G01R 1/06
, G01R 31/302
FI (6件):
H01L 21/66 S
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 T
, G01N 21/956 A
, G01R 1/06 F
, G01R 31/28 L
Fターム (41件):
2G011AA01
, 2G011AA02
, 2G011AA17
, 2G011AB01
, 2G011AE03
, 2G011AF06
, 2G032AB20
, 2G032AE02
, 2G032AE04
, 2G032AE09
, 2G032AF01
, 2G032AF07
, 2G032AG01
, 2G032AG07
, 2G051AA51
, 2G051AB20
, 2G051BA06
, 2G051BA20
, 2G051CA03
, 2G051CA04
, 2G051CB01
, 2G051CD05
, 2G051DA07
, 2G051EA12
, 2G051EA14
, 2G051ED07
, 2G051FA10
, 4M106AA01
, 4M106AA20
, 4M106BA01
, 4M106BA20
, 4M106CA17
, 4M106CB30
, 4M106DB19
, 4M106DH11
, 4M106DH12
, 4M106DH60
, 4M106DJ11
, 4M106DJ15
, 4M106DJ21
, 4M106DJ23
引用特許:
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