光電変換装置とその製造方法、及び撮像システム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-358342
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197674
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】フォトダイオードの感度をはじめとする諸特性を向上させるCMOSエリアセンサに代表される光電変換装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第一導電型の半導体基板と、第一導電型と反対導電型の第二導電型の不純物領域の複数と、第一導電型の不純物領域とを備えており、第二導電型の不純物領域は、第1の不純物領域4Aと、第1の不純物領域よりも基板表面側に配された第2の不純物領域4B、4Cと、第2の不純物領域よりも基板表面側に配された第3の不純物領域4Dとを含んでいる。そして、第1の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C1と、第2の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C2と、第3の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C3とが、C2<C3<C1の関係を満たすようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板と、第一導電型と反対導電型の第二導電型の不純物領域の複数と、第一導電型の不純物領域と、を備えた光電変換素子を有する光電変換装置であって、前記第二導電型の不純物領域の複数は、少なくとも第1の不純物領域と、該第1の不純物領域よりも基板表面側に配された第2の不純物領域と、該第2の不純物領域よりも基板表面側に配された第3の不純物領域と、を含み、前記第1の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C1と、前記第2の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C2と、前記第3の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度C3とが、 C2<C3<C1 の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L27/146 , H04N5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 U

Fターム (18件)：

4M118AA01 , 4M118AA03 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118DA32 , 4M118DD04 , 4M118EA01 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GY31

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,483,129号

審査官引用 (4件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-365525 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-174358
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-179923 出願人：株式会社東芝

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