特許
J-GLOBAL ID：200903073072738805
バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-067562
公開番号（公開出願番号）：特開2006-249506
出願日： 2005年03月10日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。【解決手段】 デュアルマグネトロン形式のバイポーラパルススパッタリング成膜装置において、マグネトロンと成膜する基体との間であって、二つのデュアルマグネトロンの中間位置に、プラズマ形状制御板を基体表面にできるだけ近づけるとともに、マグネトロン1基あたり投入電力をデューティー比30%以下に調整することによって、プラズマによる高活性領域、及び高プラズマ密度を、基体側に近づけるようにする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
デュアルマグネトロン形式のバイポーラパルススパッタリング成膜装置において、マグネトロンと成膜する基体との間であって、二つのデュアルマグネトロンの中間位置に、プラズマ形状制御板を基体表面にできるだけ近づけ、ただし、プラズマが不安定にならない適正な離間距離をおいて立設し、これによりプラズマ活性領域を基体表面に近づけるようにしたことを特徴とする、バイポーラパルススパッタリング成膜装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
4K029CA05
, 4K029DC27
, 4K029DC29
, 4K029DC39
