特許
J-GLOBAL ID：200903073095566823
TABテープの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
成瀬 勝夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371293
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189349
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 ポリイミド絶縁層の加工を高精度に維持しつつ、低コストで安定的に行うTABテープの製造方法。【解決手段】 ポリイミドを主成分とする絶縁層と導体層とからなるテープ状の基材の絶縁層を炭酸ガスレーザを用いて加工する方法において、基材として絶縁層の両面又は片面に接着層を使用することなく導体層が設けられたものを用い、前記導体層の一部をあらかじめエッチングにより開口し、残された導体層をマスクとして用いるか、あるいは導体層が片面の場合には絶縁層の上にあらかじめ開口部を設けたコンタクトマスクを設置して、基材の照射面でのエネルギー密度が3〜50J/cm2に調節され、単方向に掃引された連続波の炭酸ガスレーザビームを照射して、絶縁層にビアホール及び/又はデバイスホールを形成する工程をリール・トウ・リール方式による連続方式で行うTABテープの製造方法。
請求項（抜粋）：
ポリイミドを主成分とする絶縁層と導体層とからなるテープ状の基材の絶縁層を炭酸ガスレーザを用いて加工する方法において、基材として絶縁層の両面又は片面に接着層を使用することなく導体層が設けられたものを用い、前記導体層の一部をあらかじめエッチングにより開口し、残された導体層をマスクとして用いるか、あるいは導体層が片面の場合には絶縁層の上にあらかじめ開口部を設けたコンタクトマスクを設置して、基材の照射面でのエネルギー密度が3〜50J/cm2に調節され、単方向に掃引された連続波の炭酸ガスレーザビームを照射して、絶縁層にビアホール及び/又はデバイスホールを形成する工程をリール・トウ・リール方式による連続方式で行うことを特徴とするTABテープの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, B23K 26/00
, B23K 26/00 330
H01L 21/60 311 W
, B23K 26/00 H
, B23K 26/00 330
4E068AA04
, 4E068AF00
, 4E068CA04
, 4E068CD10
, 4E068DA11
, 4E068DA14
, 5F044MM03
, 5F044MM04
, 5F044MM06
, 5F044MM48
, 5F044MM49
