特許

J-GLOBAL ID：200903073100272930

シリコンウエハ中の金属汚染低減のための方法

発明者： ラリー・ダブリュー・シーブ ,  ブライアン・エル・ギルモア
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-511422
公開番号（公開出願番号）：特表2007-536738
出願日： 2005年04月26日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

表面および内側部分を有しているシリコンウエハから、銅、ニッケルおよびそれらの組み合わせの中から選ばれる汚染物質を除去するための方法である。この方法は、酸化開始温度またはそれ以上の温度から制御された雰囲気中でシリコンウエハを冷却すること、ならびに前記酸化開始温度にて酸素含有雰囲気流を開始してシリコンウエハ表面の周囲に酸化的雰囲気を形成し、シリコンウエハ表面に酸化物層を生じさせ、および前記酸化物層とシリコンウエハ内側部分との間の境界に歪み層を生じさせることを含んでなる。ウエハの冷却も、シリコンウエハ内側部分から歪み層への汚染物質の原子を拡散させるように制御される。シリコンウエハは、それから清浄化されて酸化物層および歪み層が除去され、それによって歪み層へ拡散した汚染物質が除去される。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハ表面およびシリコンウエハ内側部分を有するシリコンウエハから、銅、ニッケルおよびそれらの組み合わせの中から選ばれる汚染物質を除去するための方法であって、 酸化開始温度またはそれ以上の温度から制御された雰囲気中でシリコンウエハを冷却する工程; 前記酸化開始温度にて酸素含有雰囲気流を開始して、シリコンウエハ表面の周囲に酸化的雰囲気を形成し、シリコンウエハ表面に酸化物層を生じさせ、および前記酸化物層とシリコンウエハ内側部分との間の境界に歪み層を生じさせる工程; 冷却を制御して、シリコンウエハ内側部分から歪み層へ汚染物質の原子を拡散させる工程;ならびに シリコンウエハを清浄化して酸化物層および歪み層を除去し、それによって歪み層へ拡散した汚染物質を除去する工程 を含んでなる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/02

FI (4件)：

H01L21/322 Y ,  C30B29/06 B ,  C30B29/06 A ,  C30B33/02

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FE03 ,  4G077FE05 ,  4G077FE12 ,  4G077FE13 ,  4G077FJ01 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-055629
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265575   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-244621
  
• 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-507429   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド