特許
J-GLOBAL ID：200903073108821500
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184903
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 特に、金属バンプに働く変形応力を効果的に吸収・緩和する絶縁性樹脂層のパターニング処理を簡略化して、製造コストの一層の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11上に、電極パッド12と電極パッド12を露出させるパッシベーション膜13とを形成し、半導体基板11上に、弾性を有する感光性材料から成る絶縁性応力緩衝樹脂層14aを形成し、樹脂層14a上にAu配線22aを形成し、露光マスクを用いて樹脂層14aの所定領域を覆った状態で露光してからエッチング処理して、電極パッド12を露出する開口部16を形成し、Au配線22aと開口部16内に露出する電極パッド12とを接続しAu配線22a上に金属バンプ25を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された電極パッドが実装基板の対応する各電極に金属バンプを介して接続される半導体チップを備えた半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に、前記電極パッドと該電極パッドを露出させるパッシベーション膜とを形成し、前記電極パッド及びパッシベーション膜を含む前記半導体基板上に、弾性を有する感光性材料から成る絶縁性樹脂層を形成し、前記絶縁性樹脂層上に所定パターンの金属配線を形成し、マスク材を用いて前記絶縁性樹脂層の所定領域を覆った状態で露光してからエッチング処理して、前記電極パッドを露出する開口部を形成し、前記金属配線と前記開口部内に露出する電極パッドとを接続し前記金属配線上に金属バンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 21/60
H01L 23/12 501 F
, H01L 23/12 501 V
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 603 G
, H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 604 M
