GaN系半導体およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 河合信明 , 谷澤靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-336920
公開番号（公開出願番号）：特開2005-094029
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するGaN系半導体を提供する。【解決手段】 GaN系半導体のファセット構造を形成しながら成長させて隣接するファセット構造を合体させる。ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。更にファセット構造の成長させて隣接するファセット構造を合体させることでファセット面とファセット面とが重なる領域に曲がった転位を集める。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN系半導体のファセット構造を形成しながら成長させ隣接する前記ファセット構造を合体させることを特徴とするGaN系半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L21/205 , C30B23/04 , C30B29/38 , H01L33/00

FI (4件)：

H01L21/205 , C30B23/04 , C30B29/38 D , H01L33/00 C

Fターム (20件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077EE07 , 4G077SC10 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

エピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198305 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

エピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198305 出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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