特許
J-GLOBAL ID：200903073168681936

半導体素子の製造方法および発泡剥離装置

発明者：
中澤 治雄

中澤 治雄 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050110
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005672
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】支持基板に接着シートを介して半導体ウエハーを貼り付けた状態でウエハー裏面の加工処理を行った後、簡便かつ確実に支持基板から半導体ウエハーを剥離させること。【解決手段】接着シートの発泡テープ型シート43およびUVテープ型シート45に、それぞれウエハーおよび支持基板32を接着して、ウエハーおよび支持基板32を一体化する。その状態で、ウエハーをバックグラインドし、ウエハー裏面側の半導体層および裏面電極を形成し、薄型ウエハー41とする。この薄型ウエハー41が支持基板32の上になるようにしてホットプレート51の上に置き、支持基板32を吸引しながら加熱して発泡テープ型シート43を発泡させることによって、支持基板32から薄型ウエハー41を剥離する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体ウエハーの表面に半導体素子の表面側素子構造部を作製する工程と、 前記半導体ウエハーの、前記表面側素子構造部が作製された側の面に、加熱発泡により剥離可能な接着シートを介して、支持基板を接合する工程と、 前記支持基板を接合した状態のまま、前記半導体ウエハーの裏面を研削する工程と、 前記半導体ウエハーの研削された面に金属膜を成膜する工程と、 前記半導体ウエハーの、前記金属膜が成膜された側の面、または前記支持基板の、前記半導体ウエハーに接合されていない側の面を吸着しながら、前記接着シートを加熱して発泡させることにより、前記支持基板から前記半導体ウエハーを剥離させる工程と、 前記支持基板から剥離した前記半導体ウエハーをチップ状に切断する工程と、 を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/68 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78
FI (3件)：
H01L21/68 N ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658Z
Fターム (11件)：
5F031CA02 ,  5F031DA11 ,  5F031FA05 ,  5F031FA20 ,  5F031GA25 ,  5F031GA69 ,  5F031HA02 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA38 ,  5F031MA39
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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