特許
J-GLOBAL ID:200903073174263356
処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-239218
公開番号(公開出願番号):特開平11-169774
出願日: 1998年08月25日
公開日(公表日): 1999年06月29日
要約:
【要約】【課題】 処理装置を構成する各処理ユニットが比較的大きなものであっても、短時間で高精度の温度管理を行うことのできる処理装置を提供する。被処理体と接触する部位に転写跡が形成されず、転写跡が惹起する塗膜の膜厚不良を起こさない処理装置を提供する。【解決手段】 塗布ユニットCT/ER内に温度センサS2を配設し、この温度センサS2により検出した塗布ユニットCT/ER内の温度に基づいて、基板Gを温調する温調手段の温調温度を制御する。スピンチャック23内に配設した温調器や塗布ユニットCT/ERの外部に配設された熱処理盤や冷却ユニットCOL等の温度を制御する。塗布ユニットCT/ERの温度と基板Gとの温度との差を小さくすることにより基板Gの接触部位と非接触部位との間の温度差が小さくなり、転写跡が形成されにくくなり、塗膜の膜厚不良が未然に防止される。
請求項(抜粋):
被処理体に塗布膜を形成する塗布ユニットと、前記塗布ユニット内の温度を検出する温度検出手段と、前記被処理体の温度を調節する温調手段と、前記検出した温度に基づいて、前記温調手段の温調温度を制御する手段と、を具備することを特徴とする処理装置。
IPC (5件):
B05C 11/08
, B05D 1/40
, B05D 3/00
, H01L 21/027
, G03F 7/16 502
FI (5件):
B05C 11/08
, B05D 1/40 A
, B05D 3/00 D
, G03F 7/16 502
, H01L 21/30 564 C
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特開平3-266417
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回転塗布方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-074342
出願人:凸版印刷株式会社
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特開平3-082113
-
特開平2-148828
-
処理装置及び処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-111330
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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特開昭62-225269
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審査官引用 (6件)
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特開平3-266417
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回転塗布方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-074342
出願人:凸版印刷株式会社
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特開平3-082113
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特開平2-148828
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処理装置及び処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-111330
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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特開昭62-225269
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