特許
J-GLOBAL ID：200903080156875863
酸化物、ケイ酸塩及びリン酸塩の気相成長
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
石田 敬
, 鶴田 準一
, 福本 積
, 西山 雅也
, 樋口 外治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-530823
公開番号（公開出願番号）：特表2004-527651
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
反応性金属アミド、アルキル又はアルコキシドと一緒にアルコキシシラノール又はアルキリホスフェートの蒸気を反応させることによって、加熱された基板上に金属ケイ酸塩又はリン酸塩を被着させる。例えば、トリス-(tert-ブトキシ)シラノールの蒸気がテトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウムの蒸気と反応して、300°Cに加熱された表面上にケイ酸ハフニウムを被着させる。製品膜は、反応装置全体にわたり非常に均一な化学量論量を有する。同様にして、ジイソプロピルホスフェートの蒸気はリチウムビス(エチルジメチルシリル)アミドの蒸気と反応して、250°Cに加熱した基板上にリン酸リチウム膜を被着させる。交互のパルスの形で蒸気を供給することにより、非常に均一な厚み分布及び優れたステップカバレッジでこれらの同じ組成物が生産される。
請求項（抜粋）：
ケイ素、酸素及び1種以上の金属又はメタロイドを含む材料を形成するための方法であって、
アルコキシシラノール及びアルコキシシランジオールのうちの一方の蒸気を金属化合物及びメタロイド化合物のうちの1種以上のものの蒸気と一緒に反応させること、
を含む材料形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030BA10
, 4K030BA22
, 4K030BA24
, 4K030BA29
, 4K030BA42
, 4K030FA10
, 5F058BA09
, 5F058BC03
, 5F058BC04
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF37
, 5F058BJ01
審査官引用 (3件)
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成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-297042
出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
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半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-066794
出願人：川崎製鉄株式会社
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特開昭62-067175
引用文献：
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