III族窒化物膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-075812
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218045
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。【解決手段】第1のAl含有窒化物からなる基材1上に、第2の窒化物からなる互いに孤立した複数の島状結晶部2-1〜2-4を形成する。そして、この島状結晶部2-1〜2-4を核としてエピタキシャル成長させることにより、第3の窒化物から窒化物膜3を製造する。

請求項（抜粋）：

CVD法により、III族窒化物膜を製造する方法であって、第1のAl含有窒化物からなる基材上に、第2の窒化物からなる互いに孤立した複数の島状結晶部を形成し、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、第3の窒化物から窒化物膜を製造することを特徴とする、窒化物膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 29/201 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 29/201 , H01L 33/00 C

Fターム (29件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB14 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA20 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (1件)

3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-025852 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

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