特許
J-GLOBAL ID：200903073193128966
半導体シリコンウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092820
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286268
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 鏡面研磨やエピタキシャルシリコン成膜を行うデバイス形成面とその裏面との区別や保護のために設けていた化学的気相成長法による酸化膜において、酸化膜の成膜厚みを比較的薄くし、エピタキシャルシリコン表面のヘイズを良好に維持可能なウェーハの製造方法の提供。【解決手段】 酸化膜の成膜後に、例えば酸素雰囲気、窒素雰囲気あるいは酸素と窒素の混合雰囲気で熱処理を施すことにより、当該酸化膜が硬化しかつ保有水分が大幅に減少し、両面同時研磨時の研磨レイトが遅くなり、結果的に酸化膜の膜厚を薄くでき、またエピタキシャル成長時のエピタキシャルシリコンのヘイズを劣化させない。
請求項（抜粋）：
半導体シリコンウェーハの片面に化学的気相成長法により酸化膜を形成した後、熱処理を施して前記酸化膜を改質する半導体シリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/324
, H01L 21/205
H01L 21/324 Z
, H01L 21/205
5F045AB02
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC11
, 5F045AD08
, 5F045AE25
, 5F045AF16
, 5F045BB17
, 5F045GH05
, 5F045HA16
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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