特許

J-GLOBAL ID：200903073235753173

III族窒化物半導体発光素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147816
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340839
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】結晶性に優れるインジウム組成比の小さいGaYIn1-YN結晶を発光層に用いて、青色〜緑色のような長波長の高輝度の発光が安定して得られる、量子井戸構造の発光部を備えたIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】p形のIII族窒化物半導体結晶層からなるp形クラッド層と、該p型クラッド層と一方の面で接するインジウム(In)を含むn形のIII族窒化物半導体結晶層からなる井戸層と、該井戸層の他方の面と接するn形のIII族窒化物半導体結晶層からなるn形障壁層とからなる量子井戸構造の発光部を少なくとも具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記井戸層が、前記p形クラッド層との接合界面に向かって正孔(hole)について低エネルギー側に価電子帯の上端が曲折したエネルギーバンド構造を有する。

請求項（抜粋）：

p形のIII族窒化物半導体結晶層からなるp形クラッド層と、該p型クラッド層と一方の面で接するインジウム(In)を含むn形のIII族窒化物半導体結晶層からなる井戸層と、該井戸層の他方の面と接するn形のIII族窒化物半導体結晶層からなるn形障壁層とからなる量子井戸構造の発光部を少なくとも具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記井戸層が、前記p形クラッド層との接合界面に向かって正孔(hole)について低エネルギー側に価電子帯の上端が曲折したエネルギーバンド構造を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-314339   出願人：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-214906   出願人：昭和電工株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-314339   出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 光通信素子工学-発光・受光素子-, 1984, 第69頁