特許
J-GLOBAL ID：200903073237638266
セラミック回路基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007297
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209335
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 セラミック基板に接合するチップの接合信頼性を向上する。【解決手段】 低温焼成セラミック基板11の表層のグリーンシート12には、半導体チップ15を搭載する部位に低温焼成セラミックと半導体チップ15の中間的な熱膨張係数のセラミック層16を印刷する。グリーンシート12は、CaO-Al2 O3 -SiO2 -B2 O3 系ガラス粉末とアルミナ粉末との混合物よりなる低温焼成セラミック材料により形成され、セラミック層16は、この低温焼成セラミック材料にBi2 O3 を外掛けで0.5〜15重量%配合した低温焼成セラミック材料により形成され、Bi2 O3 を含まない低温焼成セラミックよりも熱膨張係数が小さくなっている。低温焼成セラミック基板11とセラミック層16とを同時焼成した後、低温焼成セラミック基板11の上面に表層抵抗体18を印刷・焼成し、セラミック層16上に半導体チップ15を実装する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の実装面に、該セラミック基板と異なる熱膨張係数のセラミック層を有するセラミック回路基板。
IPC (5件)：
H01L 23/13
, C04B 35/495
, C04B 35/111
, C04B 41/87
, H01L 23/12
H01L 23/12 C
, C04B 41/87 B
, C04B 35/00 J
, C04B 35/10 D
, H01L 23/12 N
