特許
J-GLOBAL ID:200903073240968498
シリコン単結晶インゴットの製造方法及び製造装置並びにシリコン単結晶インゴット
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-029162
公開番号(公開出願番号):特開2007-210803
出願日: 2006年02月07日
公開日(公表日): 2007年08月23日
要約:
【課題】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを製造する場合に、ピンホールの少ないシリコン単結晶インゴットを安定して製造する方法及び製造装置を提供する。【解決手段】ルツボ軸に振動を与える加振機18を具備したシリコン単結晶インゴットの製造装置10において、石英ルツボ14中の多結晶シリコンを融解してシリコン融液21とする工程とシリコン融液に種結晶を接触させた後引き上げることによってシリコン単結晶インゴット13を育成する工程との間に、石英ルツボ14を支持するルツボ軸16に振動を与える工程を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも、石英ルツボ内の多結晶シリコンを融解してシリコン融液とする工程と、該シリコン融液に種結晶を接触させた後引き上げることによってシリコン単結晶インゴットを育成する工程とを有するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶インゴットの製造方法であって、前記石英ルツボ中の多結晶シリコンを融解してシリコン融液とする工程と前記シリコン融液に種結晶を接触させた後引き上げることによってシリコン単結晶インゴットを育成する工程との間に、前記石英ルツボを支持するルツボ軸に振動を与える工程を有することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG01
, 4G077EG25
, 4G077EJ05
, 4G077HA12
, 4G077PA16
, 4G077RA05
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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