特許

J-GLOBAL ID：200903092278925657

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 浅野 浩 ,  杉本 幸男 ,  田畑 房雄
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169287
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 ピンホールの発生に起因する単結晶不良を防止する。シリコン融液中の不純物・気泡に起因する有転位化を防止する。SiOの蒸発に起因する有転位化を防止する。【解決手段】 60〜400mbarの炉内圧力で原料溶解を行う。原料溶解に続く単結晶引上げを、溶解時の炉内圧力より低く、且つ95mbar以下の炉内圧力で行う。

請求項（抜粋）：

CZ法によるシリコン単結晶の製造方法において、多結晶シリコン原料を65〜400mbarの炉内圧力で溶解し、そのシリコン融液からの単結晶引上げを、溶解時の炉内圧力より低く、且つ95mbar以下の炉内圧力で行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  G05D 16/00 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 K ,  G05D 16/00 C ,  H01L 21/208 P

Fターム (20件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA05 ,  4G077PB01 ,  4G077PB04 ,  4G077PB09 ,  4G077PB13 ,  5F053AA12 ,  5F053AA50 ,  5F053BB04 ,  5F053BB12 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053RR03 ,  5H316AA20 ,  5H316BB01 ,  5H316GG04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2635456号
  
• 化合物半導体単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-325778   出願人：住友電気工業株式会社
• シリコン単結晶の製造方法および引上げ機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-334375   出願人：信越半導体株式会社
• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-268788   出願人：住友シチックス株式会社