特許

J-GLOBAL ID：200903073245995353

リモートプラズマCVD装置及び膜形成方法

発明者： 湯田 克久 ,  野上 裕
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016056
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 リモートプラズマCVD成膜において、プラズマ分解を意図しないガスをプラズマ生成領域に逆流させないようにする。【解決手段】 第1のガスをプラズマ生成領域に供給し、第1のガスの励起ガスと非励起ガスをプラズマ外の成膜領域で導入される第2のガスと反応させて成膜を行う際、第2のガスをプラズマ生成領域に逆流させないための多孔板をプラズマ生成領域と第2のガスの供給部との間に配置する。また、多孔板の配置によってプラズマ生成領域の圧力設定の自由度が低くなるのを解決するため、多孔板を境にしてプラズマ生成領域側及び成膜領域側にそれぞれ独立した圧力調整機構を備えるようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

第1のガスのプラズマを形成するプラズマ生成領域が備えられ、前記プラズマ生成領域の外に被堆積基板を設置する基板保持機構と、前記プラズマ生成領域と前記被堆積基板との間で第2のガスを供給する供給手段とを有するプラズマCVD装置において、前記プラズマ生成領域と前記供給手段との間には複数の貫通孔が形成された多孔板が配置されており、前記貫通孔の開口率が5%以下であることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205

Fターム (29件)：

5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AE23 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12 ,  5F045EH17 ,  5F045EH18 ,  5F045GB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329018   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-332571   出願人：日本電気株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-071213   出願人：日新電機株式会社