プラズマCVD装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332571
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168094
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】中間メッシュプレート電極およびガスインジェクタに付着しやすい粉状パーティクルの生成、付着を抑制または防止する。また、中間メッシュプレート電極およびガスインジェクタ表面で厚膜化した酸化シリコン膜が剥離するの抑制または防止する。【解決手段】高周波印加電極1と中間メッシュプレート電極11との間で酸素プラズマ6を発生させ、中間メッシュレート電極11を通過した酸素ラジカル7と平面インジェクタ31から噴射されるモノシランガス9とを反応させ、基板3上へ酸化シリコン膜4を形成する。平面インジェクタ31に独立に設けられた複数のモノシランガス噴射孔および酸素ラジカル通過孔の間にヘリウムなどの不活性ガス噴射孔を有しており、平面インジェクタ付近での酸素ラジカルとモノシランガスの急激な反応を抑制し、急激な反応で生成しやすい酸化シリコン粉状パーティクルの生成および平面インジェクタへの付着を抑制又は防止する。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室と基板処理室の間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中間メッシュプレート電極を有するプラズマCVD装置において、前記中間メッシュプレート電極を通過したラジカルと材料ガスとの前記中間メッシュプレート電気近傍での反応を抑制する機構を有することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 D , C23C 16/50 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-077172 出願人：ソニー株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-119709 出願人：日本電気株式会社
特開平4-236782

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