特許
J-GLOBAL ID：200903073268606931
ダイヤモンド単結晶薄膜製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337740
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157990
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、成膜速度を落とさずに高品質ダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法及び装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明のダイヤモンド単結晶薄膜製造方法は、原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用いて、プラズマCVDにより基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を製造する際、供給炭素源濃度を合成途中で変化させるものである。第一段階で、炭素源濃度0.025%〜0.3%にて原子レベルで平坦、かつ単結晶のダイヤモンド薄膜を合成し、引き続き0.3〜0.5%の濃度で第二段階の合成を行うことで、膜質を維持したまま高速に成膜することができる。
請求項（抜粋）：
原料ガスとして炭素源と水素の混合ガスを用いて、プラズマCVDにより基板表面にダイヤモンド単結晶薄膜を製造する方法において、前記混合ガス中の炭素源濃度を、低成膜速度及び高品質のダイヤモンド単結晶薄膜が得られる低い第一の濃度にして、プラズマCVDを行い、その後、前記炭素源濃度を、前記第一の濃度よりも高い第二の濃度にして、高成膜速度でプラズマCVDすることを特徴とするダイヤモンド単結晶薄膜製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 A
, H01L 21/205
