半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236858
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079725
出願日： 2002年08月15日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】金属シリサイド化物の異常成長に起因するPN接合破壊や短絡を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン領域が露出した基板上に、シリコンと反応してシリサイド化物を形成する第1の金属からなる第1の膜を形成する。第1の膜の上に、第1の金属とは異なる第1の高融点金属からなる第2の膜を形成する。第1回目の熱処理を行い、基板と第1の膜とを反応させて、両者の界面に1価の金属シリサイド膜を形成する。基板上に残っている第2の膜及び第1の膜を除去する。第2の膜及び第1の膜が除去された基板の第2回目の熱処理を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部にシリコン領域が露出した基板上に、シリコンと反応してシリサイド化物を形成する第1の金属からなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の上に、前記第1の金属とは異なる第1の高融点金属からなる第2の膜を形成する工程と、第1回目の熱処理を行い、前記基板と前記第1の膜とを反応させて、両者の界面に1価の金属シリサイド膜を形成する工程と、前記基板上に残っている前記第2の膜及び第1の膜を除去する工程と、前記第2の膜及び第1の膜が除去された前記基板の第2回目の熱処理を行う工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/28 301S , H01L21/88 Q , H01L29/78 301P , H01L29/58 G

Fターム (47件)：

4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 5F033HH04 , 5F033HH25 , 5F033KK25 , 5F033MM07 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ84 , 5F033XX00 , 5F033XX31 , 5F140AA14 , 5F140AA20 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF19 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG35 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG56 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140BK35 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE10 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-162154 出願人：株式会社東芝
電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-270854 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-246578 出願人：株式会社東芝

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