特許

J-GLOBAL ID：200903073327723289

レジストパターンの形成方法

発明者： 田渕 宏樹 ,  谷川 真 ,  森脇 浩之 ,  谷口 敬之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243284
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097024
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 簡単な工程で微細なレジストパターンを形成する。【構成】 半導体基板上にフォトレジスト膜を形成し、これに閾値露光量より小さい量の所定パターンの光を露光しエッチング深さを所定深さになるように制御して現像処理を施すことによって上記光の解像限界に近い幅の凹部又は凸部で構成される位相シフタのパターンを形成し、この後全面に露光することによって位相シフタ下のフォトレジスト膜に非露光領域を形成し、再び現象処理を施すことによって上記凹部又は凸部の幅より狭い幅のレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にフォトレジスト膜を形成し、これに閾値露光量より小さい量の所定パターンの光を露光し所定深さになるように制御して現像処理を施すことによって上記光の解像限界に近い幅の凹部又は凸部で構成される位相シフタを形成し、この後全面に露光することによって位相シフタの凹部に入射する光と凸部に入射する光との干渉で非露光領域を形成し、再び現像処理を施すことによって上記凹部又は凸部の幅より狭い幅のレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182653   出願人：セイコー電子工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223390   出願人：ソニー株式会社