特許
J-GLOBAL ID：200903073332997648
シリコンエピタキシャルウエーハ、アニールウエーハならびにこれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-377988
公開番号（公開出願番号）：特開2006-188423
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】優れた結晶性とIG能力を有するエピタキシャルウエーハを提供する。【解決手段】チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン単結晶育成時に炭素および窒素をドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたシリコンウエーハ表面に、エピタキシャル層を形成したシリコンエピタキシャルウエーハであって、前記シリコンウエーハ中の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaとなるよう前記CZシリコン単結晶を引上げて製造される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
CZシリコン単結晶育成時に炭素および窒素をドープして引上げられたCZシリコン単結晶から作製されたシリコンウエーハ表面にエピタキシャル層を形成するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法において、前記CZシリコン単結晶の炭素濃度、窒素濃度、酸素濃度がそれぞれ0.1〜1ppma、1×1013〜1×1014個/cm3 、15〜25ppmaとなるように前記CZシリコン単結晶を引上げることを特徴とするシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
C30B29/06 A
, H01L21/322 Y
, C30B29/06 B
, C30B29/06 502H
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077FE11
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
, 4G077PA16
