半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188058
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031816
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 DMOSFETを有する半導体装置において、DMOSFETのオン抵抗のばらつきを減少させる。【解決手段】 P型シリコンよりなる半導体基板11には、DMOSFET1とMOSFET2とが形成されている。DMOSFET1のN型のドレイン領域13の上には、互いに間隔をおいて第1の絶縁ゲート電極14A及びドレインコンタクト領域位置規制部材としてのダミーの第2の絶縁ゲート電極14Bが形成されている。ドレイン領域13において、第1の絶縁ゲート電極14Aの反第2の絶縁ゲート電極側の領域にはP型のボディ領域16が第1の絶縁ゲート電極14Aに対して自己整合的に形成され、第2の絶縁ゲート電極14Bの反第1の絶縁ゲート電極側の領域にはN型のドレインコンタクト領域20Bが第2の絶縁ゲート電極14Bに対して自己整合的に形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成され、第1導電型の低濃度不純物がドープされてなるドレイン領域と、前記ドレイン領域の上に前記半導体基板と絶縁されて形成された絶縁ゲート電極と、前記ドレイン領域の上に前記絶縁ゲート電極と間隔をおいて形成され、少なくとも前記半導体基板と接する部分が絶縁体よりなるドレインコンタクト領域位置規制部材と、前記ドレイン領域における前記絶縁ゲート電極に対する前記ドレインコンタクト領域位置規制部材の反対側の領域に形成され、第2導電型の不純物がドープされてなるボディ領域と、前記ボディ領域に該ボディ領域の周辺部と間隔をおいて形成され、第1導電型の高濃度不純物がドープされてなるソース領域と、前記ドレイン領域における前記ドレインコンタクト領域位置規制部材に対する前記絶縁ゲート電極の反対側の領域に形成され、第1導電型の高濃度不純物がドープされてなるドレインコンタクト領域とを備え、前記ドレインコンタクト領域におけるソース領域側の端部の位置は、前記ドレインコンタクト領域位置規制部材の反ソース領域側の側面により自己整合的に規制されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 D , H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-198174
特開平1-199468
特開昭62-265765

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