特許
J-GLOBAL ID:200903073393012253

三次元積層不揮発性半導体メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (22件): 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-112659
公開番号(公開出願番号):特開2009-266946
出願日: 2008年04月23日
公開日(公表日): 2009年11月12日
要約:
【課題】BiCSメモリのプログラムディスターブを改善する三次元積層不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】三次元積層不揮発性半導体メモリは、第一及び第二ブロックBK<i>,BK<i+1>から構成されるメモリセルアレイを備える。第一ブロックは、プログラム対象となるメモリセルを含む第一セルユニット及びプログラム対象となるメモリセルを含まない第二セルユニットを有し、第一及び第二セルユニット内のメモリセルのチャネルの初期電位をプラス電位にした状態で第一ブロック内のワード線WL<0>,WL<1>,WL<2>,WL<3>にプログラム電位Vpgm又は転送電位Vpassを与えてプログラミングを実行する。プログラミング時に、第二ブロック内のワード線WL<0>,WL<1>,WL<2>,WL<3>にプログラム電位Vpgm及び転送電位Vpassが印加されない。【選択図】図27
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板上において第一方向に並んで配置される第一及び第二ブロックから構成されるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの前記第一方向に直交する第二方向の一端に配置される第一ドライバとを具備し、 前記第一及び第二ブロックは、それぞれ、前記半導体基板上に互いに絶縁されてスタックされる3以上の導電層と、前記3以上の導電層上にこれらとは絶縁されて配置されるビット線と、下端が前記半導体基板に接続され、上端が前記ビット線に接続され、前記3以上の導電層を突き抜ける複数の半導体柱とから構成され、 前記3以上の導電層のうち最上層は、前記第二方向に延びる複数の第一セレクトゲート線から構成され、前記3以上の導電層のうち最下層は、第二セレクトゲート線であり、前記3以上の導電層のうち前記最上層及び前記最下層を除く残りの導電層は、ワード線であり、 前記3以上の導電層のうち前記最上層を除く残りの導電層は、前記第一方向の幅が前記複数の第一セレクトゲート線の前記第一方向の幅よりも広いプレート状を有し、 前記複数の第一セレクトゲート線の各々と前記複数の半導体柱及び前記第二セレクトゲート線と前記複数の半導体柱とによりそれぞれセレクトゲートトランジスタが構成され、前記ワード線と前記複数の半導体柱とによりそれぞれメモリセルが構成され、 前記第一ブロックは、プログラム対象となるメモリセルを含む選択された第一セルユニット及びプログラム対象となるメモリセルを含まない非選択の第二セルユニットを有し、前記第一及び第二セルユニット内のメモリセルのチャネルの初期電位をプラス電位にした状態で前記第一ブロック内の前記ワード線にプログラム電位又はそれよりも低い転送電位を印加して前記プログラム対象となるメモリセルに対するプログラミングを実行し、 前記プログラミング時に、前記第二ブロック内の前記ワード線には前記プログラム電位及び前記転送電位が印加されない ことを特徴とする三次元積層不揮発性半導体メモリ。
IPC (7件):
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10
FI (5件):
H01L29/78 371 ,  G11C17/00 611F ,  G11C17/00 622E ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 471
Fターム (27件):
5B125BA02 ,  5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA19 ,  5B125DB12 ,  5B125EA05 ,  5B125EB10 ,  5B125FA02 ,  5B125FA07 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP76 ,  5F083ER23 ,  5F083GA10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA13 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD34 ,  5F101BF05 ,  5F101BH21
引用特許:
審査官引用 (2件)

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