特許
J-GLOBAL ID:200903073394058974
プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-210612
公開番号(公開出願番号):特開2001-035698
出願日: 1999年07月26日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 クライオポンプで真空チャンバを排気するスパッタ装置等のプラズマ処理装置において、プラズマ放電発生時のクライオパネルからの脱ガスを防止する。【解決手段】 真空チャンバとクライオポンプとの間の排気コンダクタンスを大きくした状態で、真空チャンバ内にプラズマ放電発生に必要なガスを導入し、真空チャンバの真空度を低くしてプラズマ放電を発生させる。その後、真空チャンバの真空度が高くした状態で、真空チャンバとクライオポンプとの間の排気コンダクタンスを小さくする。
請求項(抜粋):
クライオポンプで真空チャンバ内を排気するプラズマ処理装置でプラズマを発生させる方法であって、該真空チャンバの真空度が、プラズマ放電が安定する安定真空度となるように、該真空チャンバに第1ガスを流す第1ガス導入工程と、該真空チャンバの真空度が、プラズマ放電が発生する放電真空度となるように、該真空チャンバに第2ガスを流した後に、該第2ガスを遮断する第2ガス導入工程と、該真空チャンバの真空度が該放電真空度に到達した後に、該チャンバ内でプラズマ放電を発生させる放電工程とを備え、更に、該第2ガス導入工程前に、該真空チャンバと該クライオポンプとの間の排気コンダクタンスを大きくする排気コンダクタンス制限工程と、該放電工程後に、該排気コンダクタンスを小さくする排気コンダクタンス緩和工程とを含むことを特徴とするプラズマ発生方法。
IPC (5件):
H05H 1/46
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, H01L 21/203
, H01L 21/31
FI (6件):
H05H 1/46 M
, H05H 1/46 A
, C23C 14/34 M
, C23C 16/50
, H01L 21/203 S
, H01L 21/31 C
Fターム (28件):
4K029DA02
, 4K029DA06
, 4K029DC27
, 4K029EA03
, 4K029EA06
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030HA17
, 4K030JA09
, 5F045AA19
, 5F045AE17
, 5F045BB08
, 5F045BB14
, 5F045EC07
, 5F045EE14
, 5F045EE17
, 5F045EG02
, 5F045EG06
, 5F045EH14
, 5F045EH16
, 5F045EH19
, 5F103AA08
, 5F103BB12
, 5F103BB47
, 5F103BB52
, 5F103NN04
, 5F103RR01
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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特開昭58-093873
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特開昭58-093873
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特開平1-312851
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特開平1-312851
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特開平1-183112
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特開平1-183112
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特開昭56-130470
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特開昭56-130470
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Ti/TiN膜の連続形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-332821
出願人:ソニー株式会社
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堆積膜及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-347466
出願人:キヤノン株式会社
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特開平1-272764
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特開平1-272764
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