特許
J-GLOBAL ID：200903073422211929
原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271607
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040110
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】 良好な表面密度、極めて高い純度を有し、表面特性を高精度で制御された非常に均一な薄膜を成長するために、原子層堆積法を用いた方法を提供することである。【解決手段】 少なくとも2個のシリコン原子を有するシリコン化合物から成る第1の反応物成分を用いることによって、又は、触媒成分として第三脂肪族アミンを用いることによって、又は、関連するパージ法と組合せて両方を用いること、及びそれらを順序づけることによって、半導体基板上に良好な性質を有する二酸化シリコン層を形成するための触媒補助型原子層堆積法の改良法を開示する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
触媒補助型原子層堆積プロセスを用いて半導体製品の基板表面に二酸化シリコン層を形成する方法であって、基板の機能化表面を第1の反応物と第1の触媒とから成る第1の混合物に曝し、その後、その表面を、基板表面上に二酸化シリコン単層を形成するために第2の反応物と第2の触媒とから成る第2の混合物に曝すという連続的な段階を少なくとも備えた方法において、
以下の段階(a)から段階(c)、すなわち、;
(a)少なくとも2つのシリコン原子を有するシリコン化合物から成る群から選択された少なくとも一の要素を含む第1の反応物を用いる段階;
(b)第三脂肪族アミン化合物から成る群から選択された少なくとも一の要素を含む第1の触媒を用いる段階;
(c)少なくとも2つのシリコン原子を有するシリコン化合物から成る群から選択された少なくとも一の要素を含む第1の反応物を用いることと、第三脂肪族アミン化合物から成る群から選択された少なくとも一の要素を含む第1の触媒を用いることと、を組み合わせて用いる段階;
のうちの少なくとも一又は二以上を備える方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BF02
, 5F058BJ01
