特許

J-GLOBAL ID：200903073440491599

半導体装置

発明者： 八木下 淳史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013019
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209782
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】ソース・ドレイン領域及びゲート絶縁膜に接触するゲート電極がシリサイドで構成されたショットキーソース・ドレイントランジスタのしきい値電圧の低下を図る。【解決手段】p型シリコン層23上に形成されたZrO2 からなるゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14上に形成された、仕事関数が前記半導体層のバンドギャップの略中央の値より伝導帯側に位置するErシリサイドで構成されたゲート電極25と、p型シリコン層23を挟むように形成され、Erシリサイドで構成されたソース・ドレイン領域27とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンを含む半導体基板と、 この半導体基板に形成されたp型半導体活性領域と、 このp型半導体活性領域上に形成されたZr及びHfの少なくとも一方を含む第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜上に接触形成された、シリコンと第1の金属材料とを含み、仕事関数が前記p型半導体活性領域のバンドギャップの略中央の値より小さい第1のシリサイドで構成された第1のゲート電極と、 前記p型半導体活性領域を挟むように形成された、シリコンと前記第1の金属材料とを含む第2のシリサイドで構成された第1のソース領域及び第1のドレイン領域とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (10件)：

H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321E ,  H01L29/78 617M

Fターム (93件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB19 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD50 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048DA09 ,  5F048DA24 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F110HL03 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BG41 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK18 ,  5F140BK24 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140CA03 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174567   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-026486   出願人：日本電気株式会社