特許
J-GLOBAL ID：200903073470415226
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235847
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079675
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】強誘電体膜に高い配向性を確保することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上にMOSトランジスタ14を形成した後、全面にIr膜25、LT膜26a、PZT膜26b及びIrO2膜27を順次形成する。LT膜26a自体は強誘電体膜ではないが、LT膜26a及びPZT膜26bの積層膜から強誘電体膜26が構成される。このような強誘電体膜26を有する強誘電体キャパシタにおいては、LT膜26aがPbを含有していないため、その成膜の際に配向性を容易に制御することが可能であり、配向性の高いLT膜26aを形成することができる。また、LT膜26aの結晶構造はPZT膜26bと同様に、ペロブスカイト型構造である。そして、このようなLT膜26aの上に、PZT膜26bを形成しているので、PZT膜26bの成長の際にLT膜26aの配向が引き継がれ、高い配向性のPZT膜26bが得られる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された下部電極及び上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に挟まれ、ペロブスカイト型構造の結晶構造を備えた強誘電体膜とを有し、
前記強誘電体膜は、
前記下部電極と接し、Laを含有するLa含有領域と、
前記La含有領域上に存在し、Pbを含有するPb含有領域と、
を有し、
前記La含有領域の最下面におけるLa濃度が、前記Pb含有領域の最上面におけるLa濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 444B
, H01L41/18 101D
5F083FR02
, 5F083GA21
, 5F083GA27
, 5F083JA13
, 5F083JA15
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR01
, 5F083PR40
