特許
J-GLOBAL ID：200903073707144001
半導体メモリ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100979
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354729
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】高い残留分極値や小さい膜疲労を有する高性能な強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中における強誘電体薄膜12の結晶粒径の相対標準偏差を13%以下にすることにより、高い残留分極値や小さい膜疲労(大きい書き換え可能回数)を得ることを可能とし、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を実現する。
請求項（抜粋）：
強誘電体薄膜コンデンサをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、該コンデンサは、少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造からなり、該強誘電体薄膜の膜厚方向を法線とした面内において、平均結晶粒径が80nm以上であり、かつ該結晶粒径の相対標準偏差が13%以下の範囲内にあることを特徴とする半導体メモリ素子。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
