特許
J-GLOBAL ID：200903073495666967

磁気メモリ、情報記録/再生方法、情報再生方法、情報記録方法

発明者：
名倉 秀明

名倉 秀明 について

, 
三宅 知之

三宅 知之 について

, 
江川 智浩

江川 智浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-315485
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123640
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】記録素子および再生素子の設置面積を縮小し、なおかつ高密度記録及び省電力を実現し得る磁気メモリ、情報記録/再生方法を提供する。【解決手段】情報記録媒体としての磁性細線と、該磁性細線に記録された情報の再生を行うための再生素子と、該磁性細線に情報記録を行うための記録素子とを有し、該磁性細線に形成された複数の磁区を仕切る磁壁を電源から供給される電流により移動させることで情報の記録または再生を行う磁気メモリであって、該磁性細線が該記録素子および該再生素子に挟まれるように形成されていることを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
情報記録媒体としての磁性細線と、当該磁性細線に記録された情報の再生を行うための再生素子と、上記磁性細線に情報記録を行うための記録素子とを有し、上記磁性細線に形成された複数の磁区を仕切る磁壁を、電源から供給される電流により移動させることで、情報の記録または再生を行う磁気メモリであって、 上記磁性細線が、上記記録素子および上記再生素子に挟まれるように形成されていることを特徴とする磁気メモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82
FI (7件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 150 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 110
Fターム (9件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR04 ,  5F083PR38 ,  5F083PR39 ,  5F083ZA21
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 米国特許第6834005号明細書
  • 米国特許出願公開第2005/0094427号明細書
  • 米国特許第6898132号明細書
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM