積層構造体及びその原料粉、及び、圧電アクチュエータ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：高野明近 (外3名) , 高野明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144337
公開番号（公開出願番号）：特開2000-328223
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】エアロゾルガスジェットデポジション法により、基体上に難焼結性微粒子の厚膜を形成することにより、良好な圧電特性を有する厚膜を提供する。【解決手段】 Si基体11と、該Si基体11の上に鉛原子に対する反応阻止機能を有する中間層12と、該中間層12の上に鉛を含む圧電セラミックス13とで積層構造体を構成する。圧電セラミックス13の膜は、超微粒子材料をノズルを通して前記Si基体11上に噴射,堆積させて微細形状物を形成する、エアロゾルガスジェットデポジション法により形成されている。特に、Si基体を用い、エアロゾルガスジェットデポジション法にて鉛系圧電材料13の厚膜を形成する際の鉛元素の反応を阻止する中間層12を配置させる。

請求項（抜粋）：

Si基体と、該Si基体の上に鉛原子に対する反応阻止機能を有する中間層と、該中間層の上に鉛を含む圧電セラミックスとからなる積層構造体で、前記圧電セラミックスの膜は、超微粒子材料をノズルを通して前記Si基体上に噴射、堆積させて微細形状物を形成する、エアロゾルガスジェットデポジション法により形成されていることを特徴とする積層構造体。

IPC (9件)：

C23C 4/12 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , C04B 35/49 , C23C 4/10 , C23C 28/04 , H01L 41/08 , H01L 41/187 , C23C 14/08

FI (11件)：

C23C 4/12 , C04B 35/49 R , C04B 35/49 T , C04B 35/49 S , C23C 4/10 , C23C 28/04 , C23C 14/08 K , B41J 3/04 103 A , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 D , H01L 41/18 101 F

Fターム (53件)：

2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 2C057AP53 , 2C057BA03 , 2C057BA14 , 4G031AA03 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA23 , 4G031AA26 , 4G031AA27 , 4G031AA32 , 4G031AA39 , 4G031BA10 , 4G031CA03 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G031GA03 , 4G031GA04 , 4G031GA05 , 4G031GA18 , 4K029AA06 , 4K029AA26 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC00 , 4K029BD03 , 4K029CA00 , 4K029FA01 , 4K029HA02 , 4K029JA06 , 4K031AA06 , 4K031AB02 , 4K031AB03 , 4K031CB01 , 4K031CB12 , 4K031CB14 , 4K031CB16 , 4K031CB42 , 4K031DA08 , 4K031FA01 , 4K044AA11 , 4K044AB10 , 4K044BA08 , 4K044BA12 , 4K044BB01 , 4K044BB03 , 4K044BC14 , 4K044CA23 , 4K044CA29 , 4K044CA53 , 4K044CA62

引用特許：

審査官引用 (4件)

インクジェット記録ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-107296 出願人：株式会社リコー
特開平4-270172
特開平4-270172

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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