特許
J-GLOBAL ID：200903073528530543
強磁性トンネル接合素子と磁気ヘッドと磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238726
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068757
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 交換バイアス型強磁性トンネル素子において、Mn系規則合金を反強磁性体として用いる際に必要とされる高温、長時間の熱処理によっても特性の劣化がなく、高い磁気抵抗変化率を示す強磁性トンネル接合素子を得る。【解決手段】 トンネルバリア層13と隣接するように、Ni、またはNiを含む合金、またはNiを含む化合物強磁性層14を配置し、かつMn系規則合金反強磁性層16と隣接するようにCo、またはCoを含む合金、またはCoを含む化合物強磁性層15を配置する。また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層(固定層)が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、前記反強磁性層側に位置する強磁性層(固定層)が、少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜よりなり、前記反強磁性層と接した前記強磁性体膜がCo、またはCoを含む合金、またはCoを含む化合物であり、前記トンネルバリア層と接した前記強磁性体膜がNi、またはNiを含む合金、またはNiを含む化合物であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BA18
, 5D034BA21
, 5D034CA03
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049CB01
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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