特許

J-GLOBAL ID：200903073530592300

半導体装置の製造方法

発明者： 大江 貴裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-335880
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198992
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】各種特性を備えた単一溶媒を選定しなくても、各種特性が制御された溶媒に有機半導体材料を溶解させることができるとともに、薄膜トランジスタのキャリア移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基体上に有機半導体層を備えた半導体装置の製造方法であって、異なる沸点の溶媒を混合してなる混合溶媒に有機半導体材料を溶解させた溶液を、基体上に塗布することで、有機半導体層15を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上に有機半導体層を備えた半導体装置の製造方法であって、 異なる沸点の溶媒を混合してなる混合溶媒に有機半導体材料を溶解させた溶液を、前記基体上に塗布することで、有機半導体層を形成する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/368 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L21/368 L ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A

Fターム (40件)：

5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-085654   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-180203   出願人：セイコーエプソン株式会社