特許
J-GLOBAL ID:200903073569538583
磁気浮上システムに用いられる制御装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-182121
公開番号(公開出願番号):特開2001-014031
出願日: 1999年06月28日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 磁気浮上システムにおいて非線形性の影響を抑えて高速高精度に制御を行う。【解決手段】 計測コイル3は電磁石による磁束の変化を検出して電圧信号を出力する。位置センサー4は浮上体9の位置を検出して位置信号を出力する。制御部6では電圧信号及び位置信号に基づいて電磁石による磁束を推定して推定磁束を求めるとともに位置信号に基づいて浮上体を予め設定された位置に保つために必要な推力を算出して算出推力を得る。そして、制御部6は推定磁束及び算出推力に応じて電磁石に与える指令電流を求める。
請求項(抜粋):
電磁石と、該電磁石による推力に応じて浮上する浮上体とを有する磁気浮上システムに用いられる制御装置であって、前記電磁石による磁束の変化を検出して第1の検出信号を出力する第1の検出手段と、前記浮上体の位置を検出して第2の検出信号を出力する第2の検出手段と、前記第1及び前記第2の検出信号に基づいて前記電磁石による磁束を推定して推定磁束を求めるとともに前記第2の検出信号に基づいて前記浮上体を予め設定された位置に保つために必要な推力を算出して算出推力を得て前記推定磁束及び前記算出推力に応じて前記電磁石に与える指令電流を求める制御手段とを有することを特徴とする磁気浮上システムに用いられる制御装置。
IPC (2件):
FI (2件):
G05D 3/12 E
, B60L 13/04 A
Fターム (23件):
5H113AA05
, 5H113DA02
, 5H113DB03
, 5H113GG02
, 5H113GG04
, 5H113GG13
, 5H113HH02
, 5H113HH04
, 5H113HH13
, 5H113HH19
, 5H303AA30
, 5H303BB01
, 5H303BB06
, 5H303BB11
, 5H303CC06
, 5H303DD12
, 5H303HH01
, 5H303JJ09
, 5H303KK02
, 5H303KK05
, 5H303KK06
, 5H303KK11
, 5H303QQ03
引用特許:
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