特許
J-GLOBAL ID：200903073576481457
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069644
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270967
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 良好なFFPが得られる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 第1の導電型層と、活性層と、該第1の導電型層と異なる導電型の第2の導電型層とが順に積層された積層構造体にストライプ状の導波路領域を有し、前記第1の導電型層及び第2の導電型層にそれぞれ電極が設けられてなる半導体レーザ素子において、前記積層構造体は、前記ストライプ状の導波路領域近傍又は導波路領域に接して光吸収層を有している。
請求項（抜粋）：
第1の導電型層と、活性層と、該第1の導電型層と異なる導電型の第2の導電型層とが順に積層された積層構造体にストライプ状の導波路領域を有し、前記第1の導電型層及び第2の導電型層にそれぞれ電極が設けられてなる半導体レーザ素子において、前記積層構造体は、前記ストライプ状の導波路領域近傍又は導波路領域に接して光吸収層を有していることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (14件)：
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA84
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA19
, 5F073EA23
