半導体装置の製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235084
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102373
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】汚染を防ぎ、かつ工程の時短化をはかる。【解決手段】レーザー照射装置、CVD成膜装置をロボットアームを備えた共通室に連結し、さらに、共通室被処理基板を複数入れるためのカセットを搬入するためのた搬送搬入室と連結したマルチチャンバー型の装置を用いる。搬送搬入室にカセットに入れた状態で基板を複数装置に入れることができ、また処理済みの基板をカセットに入った状態で、装置から取り出すことができる。

請求項（抜粋）：

レーザー光を照射するための第1の処理装置と、気相成長法よって成膜を行う第2の処理室と、前記第1および第2の処理室に連結された共通室と、該共通室に連結され、被処理基板を複数入れるためのカセットを搬入するための搬送搬入室とを有する半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 14/02 , C23C 16/02 , H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 14/02 Z , C23C 16/02 , H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (7件)

レーザーアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-152477 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197239 出願人：ソニー株式会社
特開平4-022127

全件表示

審査官引用 (6件)

レーザーアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-152477 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197239 出願人：ソニー株式会社
特開平4-063414

全件表示

前のページに戻る