特許
J-GLOBAL ID：200903073612475302
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331971
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193227
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ゲート直下のチャンネルにのみ不純物のイオン注入ができると共に、ゲート電極形成時に気相成長により金属膜を形成できるようにして、高集積化や高速動作の可能なMOSFETの製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に素子分離領域2を形成し、その上にバッファ酸化膜3とSi3N4窒化膜4を重ねて形成する。次に窒化膜4にゲート電極用の溝を形成してこの溝を通じて基板1中にチャンネル不純物をイオン注入した後、窒化膜4をマスクとして溝内の酸化膜3を除去後、熱酸化でゲート酸化膜7を形成し、その上に十分厚くSi層8を堆積した。機械的研摩でSi層表面をエッチし、窒化膜4の溝中に埋込んだSi層8にW10からなるゲート電極を形成した。その結果、ゲート領域のチャンネル部のみに高濃度の不純物領域が形成され、一方ソースやドレイン領域に形成すべき拡散層は不純物濃度を低くでき、ゲートに金属ゲートを成長させ得る。
請求項（抜粋）：
基板表面が平坦な状態のままで半導体基板上に素子分離領域を形成する第1の工程と、前記半導体基板上にバッファ酸化膜とシリコン窒化膜を順次重ねて形成する第2の工程と、前記シリコン窒化膜にゲート電極を形成するための溝を形成する第3の工程と、前記溝を通じて前記半導体基板中にチャンネル不純物をイオン注入する第4の工程と、前記シリコン窒化膜をマスクとして前記溝内のバッファ酸化膜を除去し、その後に、熱酸化によってゲート酸化膜を形成する第5の工程と、シリコン窒化膜およびゲート酸化膜の上に、シリコン膜を十分に厚く堆積する第6の工程と、機械的な研磨によって、前記シリコン膜の表面をエッチングし、前記シリコン窒化膜の溝の中にシリコン膜を埋め込み、このシリコン膜をゲートとする第7の工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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