研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023316
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231666
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】少なくとも銅膜、およびタンタル含有化合物膜を含む半導体デバイスの、銅に対する研磨速度を損なうことなく、銅に対するエッチング速度の抑制が可能な研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】 (a)二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の研磨材、(b)脂肪族カルボン酸、(c)アンモニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、有機アミン化合物および第4アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類の塩基性化合物、(d)クエン酸、シュウ酸、酒石酸、グリシン、αアラニンおよびヒスチジンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の研磨促進化合物、(e)ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、イミダゾールおよびトリルトリアゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種類の防食剤、(f)過酸化水素、および(g)水の各成分を含むことを特徴とする研磨用組成物、およびそれを用いた研磨方法。

請求項（抜粋）：

下記(a)〜(g)の各成分を含むことを特徴とする研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の研磨材、(b)脂肪族カルボン酸、(c)アンモニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、有機アミン化合物および第4アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類の塩基性化合物、(d)クエン酸、シュウ酸、酒石酸、グリシン、αアラニンおよびヒスチジンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の研磨促進化合物、(e)ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、イミダゾールおよびトリルトリアゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種類の防食剤、(f)過酸化水素、および(g)水。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (7件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K

Fターム (18件)：

3C058AA07 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033XX01 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043DD16 , 5F043EE08 , 5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (2件)

金属配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374487 出願人：日本電気株式会社
半導体基板研磨用組成物、半導体配線基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-365429 出願人：昭和電工株式会社

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